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宽禁带半导体材料最新资讯，工业行业全方位播报数字化转型相关话题，全面解读数字化转型政策、数据、产业等动态。
《芯财料》最近半年在各大券商的电子行业电话调研会中，讨论最多的是第三代半导体材料，碳化硅、氮化镓成为市场聚焦的新赛道。简单来说，第三代半导体是以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料，它们具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点，相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以
第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率
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