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近日复旦大学在国际顶尖期刊《自然电子学》上发布了一篇名为《硅和二硫化钼异质互补场效应晶体管》的论文，指出可以将传统硅基晶体管转变为二叠晶体管，将之命名为CFET技术，这被认为是全球最先进的芯片技术，可望倍增芯片性能。
芯片的性能提升主要是通过增加晶体管的方式来提升性能，此前的先进芯片制造工艺就是通过不断缩小晶体管的体积，从而在同样体积的芯片中集成更多晶体管提升芯片性能，此前从20nm向16nm转变的时候，台积电由于没有采用新的FinFET技术而导致性能提升有限，加入FinFET技术16nm才得以提升性能，就体现芯片技术的重要性。
复旦大学提出的CFET技术正是替代FinFET乃至更新的GAAFET的技术，它通过将硅基晶体管转变为二叠晶体管从而倍增晶体管数量，从而大幅提升芯片性能，这对于中国现有的芯片制造工艺极具意义。
中国目前大规模量产的最先进工艺是14nmFinFET，如果加入复旦大学的CFET技术，14nm就可以生产出性能媲美7nm工艺的芯片，这可以满足国内近九成的芯片；中芯国际即将量产接近7nm工艺，加入CFET技术那么就可以生产出性能媲美5nm的芯片，更可以满足国内99%的芯片需求。
可以说复旦大学研发的CFET技术有助于中国绕开当前EUV光刻机的限制，中国芯片的生产问题将彻底得到解决，这对于ASML来说将是重大打击，毕竟当前全球已兴起绕开EUV光刻机的热潮。
其实绕开EUV光刻机并非虚幻，全球最先研发绕开EUV光刻机芯片制造工艺当属日本，日本研发的无需EUV光刻机的NIL工艺在性能方面满足铠侠存储芯片的性能需求之外，还大幅降低成本，据此日本正力推NIL往5nm工艺演进，这证明了中国研发新的芯片制造工艺完全是可行。
尤为让ASML难受的是它积极跟随美国，然而美国的美光科技也在绕开EUV光刻机研发1β工艺，美国光刻机企业Zyvex Labs也研发了绕开EUV光刻机的电子束光刻机，并且工艺突破了EUV光刻机所能达到1nm极限，这更是会要了ASML的老命。
随着全球兴起绕开EUV光刻机的芯片制造工艺，ASML可能将会陷入困境，ASML的主要利润来自于EUV光刻机，而下一代EUV光刻机更是下了巨资研发，如果所有芯片企业都不再需要EUV光刻机，那么ASML赖以自傲的EUV光刻机将再无用武之地，可以说ASML应该已对此后悔莫及。
ASML本来还做着赚大钱的美梦，第一代EUV光刻机售价1.2亿美元已赚得盆满钵满，它计划将第二代EUV光刻机定价4亿美元，光刻机正变成印钞机，然而中国、日本、美国都在绕开EUV光刻机，ASML的美梦正在破灭，或许它会因此而再回到2005年之前那样吃了上顿没下顿的苦日子吧。
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