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2021年11月2日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）迎来了一个重要的里程碑：中微公司的电容耦合高能等离子体（CCP）刻蚀设备第1500个反应台顺利付运国内一家领先的半导体制造商。本次交付的Primo D-RIE®刻蚀设备反应台来自该客户的重复订单。
据了解，Primo D-RIE®刻蚀设备被全球领先的芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。为优化产量而设计，Primo D-RIE®可以配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔既可以独立操作，又可以同时加工两片晶圆。
此外，该设备的突出特点还包括：中微公司具有独立自主知识产权的甚高频和低频混合射频去耦合反应等离子体源、等离子体隔离环、用于控制腔体内反应环境的先进工艺组件。
自2007年Primo D-RIE®发布以来，中微公司陆续拓展了CCP刻蚀设备产品线，以满足客户日益严苛的技术需求。除Primo D-RIE®双反应台刻蚀设备以外，CCP刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备Primo AD-RIE®、单反应台刻蚀设备Primo SSC AD-RIE®、Primo HD-RIE®和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA®。这些产品为客户提供了全面综合的设备解决方案，用于5纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体（ICP）刻蚀设备和硅通孔（TSV）刻蚀设备。
中微公司等离子体刻蚀设备独特的创新技术和不断快速增长的市场占有率巩固了在国内外半导体前道设备行业的领先地位，并推动公司持续发展。
今年到目前为止，用于3D NAND应用的Primo HD-RIE和用于7纳米及以下节点逻辑应用的Primo AD-RIE-e占设备总出货量的50%。其中，中国大陆和台湾地区占比最高。中微公司今年前三个季度的销售收入比去年同期增长了40.4%，其中刻蚀设备的销售增长率约100%。
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