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MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8eV)，高表面体积比和卓越的场效应晶体管(FET，fieldeffecttransistor)性能，已成为最具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC,transition-metaldichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-C
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