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MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8eV)，高表面体积比和卓越的场效应晶体管(FET，fieldeffecttransistor)性能，已成为最具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC,transition-metaldichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-C
2021年，《高分子学报》邀请了国内擅长各种现代表征方法的一流高分子学者领衔撰写从基本原理出发的高分子现代表征方法综述并上线了虚拟专辑。仪器信息网在获《高分子学报》副主编胡文兵老师授权后，也将上线同名专题并转载专题文章，帮助广大研究生和年轻学者了解、学习并提升高分子表征技术。在此，向胡文兵老师和组织
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