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近日，武汉市人民政府办公厅近日发布《关于促进半导体产业创新发展的意见》（以下简称《意见》）。
《意见》提出总体目标，到2025年，全市半导体产业能级明显提升，产业结构更加合理，设备、材料、封测配套水平对关键领域形成有力支撑。到2025年，芯片产业产值超过1200亿元，半导体显示产业产值超过1000亿元，第三代半导体产业初具规模。到2025年，发明专利年均增速超过15%，创建3—5个国家级创新平台，牵头制定2—4项行业标准，突破一批关键核心技术，实现一批关键技术转化和应用。到2025年，培育形成5家销售收入超过100亿元的芯片企业、5家销售收入超过100亿元的半导体显示企业、5家销售收入超过10亿元的半导体设备与材料企业，半导体企业总数超过500家，上市企业新增3—5家。
《意见》部署了四项重点任务，要求瞄准薄弱环节补链，立足现有基础强链、聚焦热点领域延链和围绕前沿领域建链。
其中，瞄准薄弱环节补链特别提到三方面措施和三大类仪器设备，
1、增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特色工艺，研发刻蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。
2、加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节，聚焦有机发光二极管（OLED）中小尺寸面板工艺，研发光学检测、模组自动化设备，引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目；在材料环节，支持液晶玻璃基板生产项目建设，加快OLED发光材料、柔性基板材料的研发及产业化，引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。
3、布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节，支持物理气相传输法（PVT）设备、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工艺设备的研发及产业化；在材料环节，引进碳化硅（SiC）衬底、SiC外延、氮化镓（GaN）衬底生产线，布局GaN外延晶片产线。
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