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盖世汽车讯 1月10日，新加坡科学、技术和研究机构（A*STAR）的微电子研究所（IME）和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅（SiC）半导体器件，为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术，如Smart Cut?和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。
（图片来源：Soitec）
此次联合研究将有助于开发一个整体的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。该研究合作计划于2024年年中完成，旨在实现：
开发用于Smart Cut? SiC基板SiC外延和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）制造工艺，以生产更高质量的微芯片晶体管，并在制造过程中降低不合格率的同时提高产量；
为在Smart Cut? SiC基板上制造SiC功率MOSFET器件建立基准，并展示该工艺相较于传统体基板的优势。
Soitec首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示：“此次合作我们将有机会展示SmartSiC基板可扩展到200mm的性能，并为开发先进的外延解决方案铺平道路，以生产具有节能特性的更高质量的SiC晶圆。新加坡的半导体生态系统将受益于此，从而验证合理生产的SiC晶圆的卓越能效。”
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