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【#半导体芯片行业或迎新标准# ：可使设备更快更高效，且尺寸更小】3月24日，据《科技日报》消息，美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。明尼苏达大学研究人员通过使用铁钯材料替代钴铁硼，可将材料缩小到5纳米的尺寸。而且，研究人员首次能够使用支持8英寸晶圆的多室超高真空溅射系统在硅晶圆上生长铁钯。研究人员表示，这项成果在世界上首次表明，在半导体行业兼容的基板上生长这种材料可缩小到小于5纳米。新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。#自旋电子器件制造工艺获新突破#
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