1月4日，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地正式开工建设。项目位于苏州纳米城，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米。
项目总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划2023年12月底竣工，建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、中试、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，进一步巩固园区第三代半导体领域的产业地位。
该基地由苏州纳米科技发展有限公司建设，首期包括国家第三代半导体技术创新中心，以及东微半导体总部、汉天下研发中心和镭明激光研发中心总部等部分定建企业，将布局建设支撑第三代半导体创新发展的3万平方米高标准洁净厂房和化学品库、废水处理站、110千伏电站等配套设施，以及8英寸BAW（体声波）滤波器及射频模组生产线，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心等。
建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、中试、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50到100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。
近年来，园区聚焦国家战略需要，园区全力构建产业创新生态，在上游衬底及外延材料、中游芯片器件、下游封装测试及集成应用等领域，培育了纳维科技、晶湛半导体、汉天下、东微半导体、镭明激光等一批领军企业，形成了以“产品设计-晶圆制造-封装测试”为重心，以关键设备、原材料、产业服务为支撑的半导体产业链，在射频微波、功率器件、新型显示等细分领域拥有坚实的产业基础，涌现出一批重大创新成果，部分关键重心技术在国际上处于并跑、甚至领跑状态，高端人才、从业人员总量均居全国首位。
作为园区推动纳米技术应用产业发展的主阵地，苏州纳米城多年来重点发展第三代半导体、微纳制造、纳米新材料、纳米健康等细分领域，已集聚领军人才超300人，落户入驻企业和科研机构超450家，成为我国纳米技术应用产业的高地。
国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地的建设将为第三代半导体专注行业的发展提供基础设施的支撑，同时专注的平台和服务，也将为人才汇聚发挥更加积极的作用。
园区将持续加大科技招商和项目建设推进力度，以建设国家第三代半导体技术创新中心为抓手，进一步整合资源、集中发力、协同攻关，全力推动第三代半导体产业再增新优势，为我国第三代半导体自主可控、自立自强作出积极贡献。
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