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事件：
1月4日，工业和信息化部、住房和城乡建设部、交通运输部、农业农村部和国家能源局联合印发《智能光伏产业创新发展行动计划（2021-2025年）》。
点评：
计划要求到2025年，光伏智能化显著提升，产业技术创新取得突破。新型高效太阳能电池量产化转换效率显著提升，形成完善的硅料、硅片、装备、材料、器件等配套能力。智能光伏产业生态体系建设基本完成，与新一代信息技术融合水平逐步深化。智能制造、绿色制造取得明显进展，智能光伏产品供应能力增强。
计划特别指出要开发基于宽禁带材料及功率器件、芯片的逆变器。要提升逆变器系统安全性实时监测处理、在线PID抑制与修复、智能支架跟踪、高性能IV扫描诊断、组件级监控等智能化技术。建立逆变器质量追溯机制，提升逆变器制造效率和产品可靠性。
碳化硅等第三代半导体有望加速导入光伏逆变器。碳化硅作为宽禁带半导体材料代表，碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，在光伏新能源领域得到广泛应用。在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。
伴随下游市场的快速成长，2025年SiC市场规模将达25.62亿元。根据Yole报告，2019年SiC功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车、充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。
智慧光储系统将提升IGBT等功率半导体需求。计划提出要发展智能光储系统，推动光伏电站与抽水蓄能、电化学储能、飞轮储能等融合发展，建设一批电源侧光伏储能项目，保障光伏发电高效消纳利用。根据国家发改委、能源局在《关于加快推动新型储能发展的指导意见(征求意见稿)》提出到2025年我国新型储能装机规模将达30GW以上，IGBT作为储能逆变器核心器件，需求将随光储系统建设而提升。
投资建议：
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