西安紫光国芯SeDRAM™获第十六届“中国芯”年度重大创新突破产品奖- 工业快报

西安紫光国芯SeDRAM™获第十六届“中国芯”年度重大创新突破产品奖

产业资讯 / 来源：工业快报 / 作者：工业快报 / 发布时间：2021-12-21

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12月20日，2021年第十六届“中国芯”集成电路产业促进大会暨“中国芯”优秀产品征集结果发布仪式在珠海开幕。

本次“中国芯”评选活动共设置五大奖项，其中压轴的“年度重大创新突破产品奖”主要授予本年度有重大技术创新，对我国集成电路产业发展具有重大意义的芯片产品，共有38家企业申报。最终，包括西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）在内的三家企业芯片从40款产品中突围，成功斩获含金量极高的“中国芯”年度重大创新突破产品奖，技术驱动国内集成电路行业的创新发展。

“年度重大创新突破产品奖”颁奖仪式

西安紫光国芯此次获奖的异质集成嵌入式DRAM（SeDRAM™）可以突破冯•诺依曼架构的性能瓶颈，能够满足高性能计算、人工智能、近存计算、智能物联网等应用场景对高带宽、高容量内存的需求。

西安紫光国芯SeDRAM™斩获年度重大创新突破产品奖

西安紫光国芯的SeDRAM™技术采用纳米级互连将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联，实现嵌入式存储器的直接访问；通过定制的DRAM设计支持多种容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多种带宽；同时为不同的逻辑工艺提供标准化接口和测试IP，使SoC客户能够方便简单地集成。

西安紫光国芯常务副总裁江喜平表示，“西安紫光国芯历时七年研发的SeDRAM™技术和平台，成功地实现了DRAM晶圆和SoC晶圆的异质集成，提供了业界领先的超大带宽、超大容量和超低功耗的嵌入式DRAM的解决方案。获此殊荣，是公司长期坚持技术创新取得的研究成果，也是业界同仁对公司创新能力、产业影响力的高度认可。未来，西安紫光国芯将继续以创新为驱动力，持续深耕DRAM和SoC设计技术，为集成电路行业带来更多有价值的创新应用，推动产业快速发展”。

亮相本次大会展区的，还有基于SeDRAM™技术和平台开发的超大带宽、超大容量、超低功耗的大数据分析芯片和三维DRAM LPDDR4芯片。