【趋势】DRAM明年进入跌价周期但22H2仍存变量；日本联手台积为防设备、材料外移；日本芯片制造设备今年销量挑战历史新高

1.日经：日本联手台积电为防设备、材料外移；

2.日经：台积电70亿美元熊本厂将制造20nm范围的芯片；

3.需求强劲！日本芯片制造设备2021年销量挑战历史新高；

4.集邦：DRAM明年进入跌价周期 但22H2仍存变量；

5.三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM；

6.台积电、世界先进Q3营收创新高 业内：代工涨价趋势不变；

7.日月光9月、Q3营收同创历史新高 封测紧俏至明年H2；

1.日经：日本联手台积电为防设备、材料外移；

集微网消息，台积电近期终于敲定将与索尼和其他日本公司合作，斥资70亿美元在日本熊本建造晶圆厂。而最新消息称，该工厂将制造20nm芯片，可满足汽车和工业应用日益增长的需求，并帮助日本将过去曾放弃而欠缺的生产设备带回本国。

日经新闻指出，日本之所以加强与台积电合作，是因为日本拥有世界先进的逻辑半导体生产技术，但产业界、政府和学术界人士都对日本缺乏先进的逻辑半导体生产线表示担忧。这种缺位将使得日本不得不从海外采购这些芯片。

在此背景下，如果日本继续错过开发高端制造工艺的机会，就有可能失去国内芯片行业过去在该领域积累下的知识、人才和其他遗产。作为其传统优势的半导体设备和材料，相关日本制造商可能会将其技术核心跟着制造业重心一起移至海外。

"日本正在失去先进逻辑半导体的基础，" TIA执行董事会主席Tetsuro Higashi表示，“我们必须拥有制程技术以及人才和开发工程师来支撑（这一基础）。我们正在制定一项战略，预计需要10年时间来开发高端制程。”

日经进一步指出，仅仅将工厂吸引到日本并不能支撑该国的芯片制造基础。但是工厂的工程师和供应链中的公司将直接参与到生产线中。熊本拟建的工厂将是在日本建立先进逻辑芯片技术基地的关键。

另一方面，一些悬而未决的问题有可能使这一合作遭遇失败。

日经认为，日本公司未必会是可靠的客户。在家电和家用电脑等电子产品领域，日本已经失去了市场地位，不过仍是某些行业芯片的传统消费国，包括正在开发自动驾驶和电气化技术的汽车行业以及智能工厂。日本需要在失去市场地位之前更快地培育行业。

另一个问题是日本将如何支持这些行动。中国和韩国的芯片制造商接受政府援助，以降低工厂运营成本。今年6月，日本经济产业省发表了“半导体和数字产业战略”，表示“将超越民间支持，作为国家项目进行”。

日经进一步指出，在市场和技术趋势突然发生巨大变化的日本半导体行业重建工作中，产业、政府和学术界是否会团结起来，仍有待观察。如果日本能将其研发中心与台积电合作建立工厂，将在实现这一目标方面走得更远。（校对/holly）

2.日经：台积电70亿美元熊本厂将制造20nm范围的芯片；

集微网消息，台积电赴日设厂再传出新进展，有消息称台积电计划在熊本县投资70亿美元的工厂将制造20nm范围的芯片，以满足汽车行业和工业应用对芯片日益增长的需求。

据《日经亚洲评论》报道，日本之所以与台积电加强合作，是因为日本拥有世界领先的逻辑半导体生产技术。芯片的发展以及外围产业的研发都与生产技术密切相关。

但产业界、政府和学术界人士都对日本缺乏先进的逻辑半导体生产线表示担忧，他们认为缺乏制造基地使日本不得不依赖海外供应。此外，如果日本继续错过开发尖端制造工艺的机会，它就有可能失去在芯片领域积累的知识、人才和其他遗产。日本的设备和材料制造商可能会将核心功能转移到国外。

TIA执行董事会主席Tetsuro Higashi表示：“日本正在失去先进逻辑半导体的基础，我们必须拥有制造流程以及人才和开发工程师来支持它们。我们正在制定一项战略，预计需要10年时间来建立前端流程。”

该报道指出，台积电计划在熊本县投资70亿美元的工厂将制造20nm范围的芯片，不但能够满足汽车行业和工业应用对芯片日益增长的需求，还可将日本因为过去曾经放弃而欠缺的生产设备补回来。（校对/Yuki）

3.需求强劲！日本芯片制造设备2021年销量挑战历史新高；

集微网消息，日本半导体设备协会（SEAJ）11日报告显示，代工、逻辑IC和存储器需求强劲，带动半导体设备销量持续走高，上修2021年度(2021年4月-2022年3月)日本芯片制造设备销售额至32631亿日元，首度突破30000亿日元大关，第二年创下历史新高。

据日经新闻报道，日本芯片制造设备全球市占率达到30%，仅次于美国。SEAJ指出，日本芯片制造设备年销量从10000亿日元增长至20000亿日元用了22年（1955-2017年），而从20000亿日元增长至30000亿日元仅用了4年时间。

SEAJ进一步表示，明年起，以数据中心、5G为中心的终端产品需求迎来爆发，因此上修2022年日本芯片制造设备销售额至34295亿日元，较今年增长5.1%，2023年销售额尚秀芝35975，较明年再增4.9%。（校对/holly）

4.集邦：DRAM明年进入跌价周期 但22H2仍存变量；

集微网消息，市调机构TrendForce周二（12日）发布报告称，预计DRAM第四季度合约价下跌约3-8%，且由于明年需求端预计增长16.3%，不及供应端17.9%的增长率，下跌趋势将延续至明年，上半年跌幅有扩大可能，下半年则仍存变量。

供给端看，目前三大原厂2022年扩产规划均较为保守。整体来看，预估2022年DRAM产业的供给端位元成长率将达17.9%。

需求端看，由于2021年基数高，并且长短料问题预计仍难解决，手机、服务器、笔电三大主要应用市场在2022年难以有大幅度的增长。整体来看，需求位元成长率预估仅16.3%，低于供给端。

报告指出，2021年全年DRAM产值有望突破900亿美元，但随着价格跌势继续，2022年ASP或将较今年下降约15-20%，与供给端扩产幅度相当，两者抵消下，明年DRAM总体产值或与今年持平。

不过报告也强调，明年下半年DRAM价格变化仍存不确定因素，若能止跌转涨，全年产值仍有望提升。（校对/holly）

5.三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM；

集微网消息，三星电子今（12）日宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)制程技术的14纳米 DRAM，继该公司于去年3月推出业界首款EUV DRAM后，三星已将EUV层的数量增加到5层，以为其DDR5解决方案提供当今最好、最先进的DRAM工艺。

据悉，随着DRAM不断缩小，EUV技术对于提高图形精度以获得更高性能和更高产量变得越来越重要。三星电子在14纳米 DRAM上使用了5层EUV，实现了最高的位密度，同时将整体晶圆生产效率提高了约20%。此外，与上一代DRAM节点相比，14纳米工艺可以降低近20%的功耗。

根据最新DDR5标准显示，三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度，速度高达7.2Gbps，是DDR4的两倍多。

三星计划扩大其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星希望将其14纳米DRAM芯片密度提高到24Gb，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示：“通过开创性的关键模式技术创新，我们已经引领了近30年的DRAM市场。如今，三星正在通过多层EUV建立起另一个技术的里程碑，实现更加微型化的14纳米工艺，这是传统氟化氩 (ArF) 制程无法做到的。在此基础上，我们将继续为 5G、AI 和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算，提供最具差异化的内存解决方案。”（校对/Yuki）

6.台积电、世界先进Q3营收创新高 业内：代工涨价趋势不变；

集微网消息，晶圆厂9月业绩持续走高，台积电、世界先进第三季度营收均创历史新高，机构指出，晶圆厂营收主要增量来自于价格上涨，目前看这一趋势不变，看好厂商后续运营表现。

据台媒《经济日报》报道，台积电第三季度营收达4,146.7亿元（新台币，下同），较第二季度环比增长11.43%，符合公司此前介于4,073-4,157亿元的预测。

分产品线看，包括HPC、智能手机和车用芯片均呈现增长，毛利率方面，考虑到7/5nm投片有所增加以及新台币升值，产能利用率维持高档，成本改善空间有限，但由于后端服务盈利增加，预计第三季度第三季度毛利率将较上一季度增加0.5左右。

世界先进方面，第三季度营收达118.77亿元，较第二季度环比增长16.95%，分制程看，应用在手机和其他IoT小尺寸面板的驱动IC在第三季度增幅最大，0.18um和先进制程在营收中占比也将持续扩大。

产能方面，由于8英寸需求吃紧，订单量满载，产能利用率将满载至今年年底，明年供不应求状况则将持续，产能利用率将维持高档，在产品ASP提升下，第三季度毛利率也将较上一季度有明显增加。（校对/holly）

7.日月光9月、Q3营收同创历史新高 封测紧俏至明年H2；

集微网消息，日月光投控9月业绩显示，单月营收537.35亿元（新台币，下同）创历史新高，环比再增6.51%，第三季度单季营收同创历史新高，环比增长18.7%，机构表示，当前日月光封测产能全线吃紧，供应紧张将延续至明年下半年。

据台媒《经济日报》报道，分析师表示，目前终端需求市场出现杂音，但封测的产能利用率仍未松动，价格上也维持一定水准，不过仍需要注意上游原材料和关键零组件价格上涨的趋势。

根据日月光投控预计，2021年逻辑芯片市场有望增长一成，而集团整体营收将呈现逐季增长态势，ATM方面，全年增长目标将超过逻辑芯片市场增幅的2倍，高于此前预期，EMS方面，全年订单增长幅度目标将高于封测。 （校对/holly）