2025年4月，碳化硅（SiC）市场呈现“上游跌价、下游缺货”的怪圈：6英寸导电型衬底价格从1200美元/片跌至850美元（同比-29%），但功率器件交期仍长达20周。这种割裂源于衬底产能结构性过剩与器件制造的工艺瓶颈。
1. 衬底端：中国军团“低价倾销”与海外企业“技术卡位”
中国产能井喷：天岳先进、天科合达等企业2025年6英寸衬底产能突破50万片/年，但良率仅65%（Wolfspeed达85%），导致成本竞争白热化；
海外策略转向：Coherent放弃8英寸以下衬底业务，聚焦8英寸“零微管”技术，产品溢价超50%；
价格战后果：山东天岳2025年Q1毛利率跌至18%，较2024年同期腰斩，但市场份额从12%升至22%。
2. 器件端：车规级认证与良率“死亡谷”
车规认证壁垒：英飞凌、安森美等国际巨头垄断AEC-Q101认证资源，国内企业通过率不足30%；
良率鸿沟：SiC MOSFET制造良率仅40%（硅基IGBT达95%），导致650V/1200V器件实际成本较标价高30%；
下游“保供”策略：特斯拉为Model 3改款车型支付30%溢价锁定STMicroelectronics产能，凸显供应链话语权争夺。
3. 未来变局：8英寸与垂直整合
8英寸革命：2025年全球8英寸SiC衬底产能达15万片/年，但设备投资成本是6英寸的3倍，中小企业望而却步；
IDM模式崛起：三安光电投资160亿元建设SiC IDM产线，目标2026年实现衬底-外延-器件全链条成本下降40%；
技术路线之争：日立功率半导体押注“沟槽栅+双面冷却”技术，较平面型器件导通电阻降低60%，或重塑行业格局。